Der 1 MBit DRAM – U61000 – wurde ab 1986 im VEB Mikroelektronik Dresden (ZMD) des VEB Carl Zeiss Jena in der ehemaligen DDR entwickelt. Ab 1990 sollte er serienmäßig gefertigt werden.
Technisch war der U61000 ein DRAM vom Typ 511000 und wurde in CMOS-Technologie mit 1,2 µm Strukturbreite hergestellt. Die ersten Muster wurden am 12. September 1988 an Erich Honecker übergeben. Für deren Entwicklung wurde das Kollektiv des Forschungszentrums 1988 mit dem Nationalpreis der DDR ausgezeichnet.
Auf der ZMD-Pilotlinie wurden 1988 rund 5.000 Muster des U61000 gefertigt. 1989 folgten weitere 30.000 ICs mit einer Ausbeute von nur bis zu 20%.
Das Bild oben zeigt ein IC vom März 1990 (Datecode A3).
Bild rechts: Bundesarchiv, Bild 183-1988-0912-400 / Franke, Klaus / CC-BY-SA 3.0
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